STB12NM50T4

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望找到一颗既能扛住高压重载，又能保持冷静高效的“心脏”？答案就在STB12NM50T4。这颗来自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破传统性能边界而生。它不仅仅是一个开关元件，更是您提升系统能效、增强可靠性的关键引擎，其550V的漏源电压和12A的连续电流能力，为您的设计提供了坚实的功率基础。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高功率LED照明或是新能源充电桩的核心电路中，STB12NM50T4正以其卓越的性能稳定运行。它超低的导通电阻（典型值仅350毫欧）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。无论是应对频繁开关的PWM控制，还是处理持续的大电流导通，其优化的栅极电荷和输入电容都能确保快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，运行更平稳。

选择STB12NM50T4，就是选择了一份经过市场验证的可靠承诺。其宽泛的工作温度范围（-65°C至150°C）和强大的功率耗散能力（160W），赋予了产品无与伦比的环境适应性与耐用性。采用坚固的D2PAK封装，不仅散热性能出众，也便于自动化生产。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。现在就让它为您的下一个项目注入强劲动力吧！

• 型号:STB12NM50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB12NM50T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。