STB13NM50N-1

当您需要一款能够在高压环境下稳定输出、同时兼顾效率与可靠性的功率开关解决方案时，您是否曾为选型而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您推荐STB13NM50N-1，这款源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，正是为应对严苛挑战而生的卓越之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或高效照明镇流器中，一颗功率器件正承受着高达500V的电压考验，同时需要流畅地处理12A的连续电流。这正是STB13NM50N-1大显身手的舞台。其出色的MDmesh II技术，意味着更低的导通损耗和更优的开关性能，让您的电源系统在高效转换能量的同时，显著降低温升，提升整体可靠性。无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是电焊机等对功率密度和耐用性要求极高的应用，它都能游刃有余，确保系统长时间稳定运行。

选择STB13NM50N-1，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与性能保障。它拥有仅320毫欧的低导通电阻（在10V驱动电压下），这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。高达100W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它强大的过载能力和宽广的工作裕度。其通孔I2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，也便于在各类PCB板上进行可靠的焊接与安装。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过值得信赖的ST中国代理，您依然可以获得稳定可靠的货源和专业的技术支持，确保您的项目顺利进行，无后顾之忧。让这颗凝聚了尖端技术的功率芯片，成为您打造下一代高性能、高可靠性电力电子产品的坚实基石。

• 型号:STB13NM50N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB13NM50N-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。