STF18N60M6

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗与散热问题所困扰？想象一下，一款能在600V高压下稳定工作，同时将导通电阻降至极低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能与市场竞争力？这正是STF18N60M6为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是意法半导体MDmesh M6系列技术的结晶，专为应对苛刻的高压、高频应用挑战而生，让能量转换过程前所未有的高效与可靠。

无论是工业电机驱动、服务器电源，还是不断进化的新能源充电桩和光伏逆变器，STF18N60M6都能在其中扮演至关重要的“能量开关”角色。其13A的连续漏极电流承载能力和高达600V的漏源击穿电压，为系统提供了坚固的安全边际。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）低至280毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。这种高效能，让您的终端设备运行更凉爽、更安静，寿命也得以显著延长。

选择STF18N60M6，就是选择了一份经得起未来考验的保障。其采用的TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，还兼顾了散热与空间占用的平衡。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动电路的设计得以简化，系统能够轻松工作在更高的频率，从而允许使用更小、更轻的磁性元件，助力实现产品的小型化与轻量化。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严酷环境下都能稳定发挥。当您需要这样一颗集高性能与高可靠性于一身的芯片时，选择一家值得信赖的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们将为您提供从选型支持到稳定供应的全程服务。让STF18N60M6成为您下一代高效能设计的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:STF18N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。