STP9NM40N

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临开关损耗与散热压力的双重挑战？现在，一个成熟可靠的解决方案正静待您的发掘。让我们向您介绍STP9NM40N，这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的经典功率MOSFET，它承载着将高效能与高可靠性融于一体的使命。凭借其400V的耐压能力和优化的动态特性，它专为在苛刻环境下稳定工作而生，是升级您现有电源架构、提升整体系统性能的得力助手。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业逆变器等应用场景中，每一次开关动作都关乎着系统的整体效率与寿命。STP9NM40N正是为此类中压、中功率应用量身打造。其TO-220封装提供了出色的通孔安装便利性和散热能力，而790毫欧的低导通电阻（在10V驱动下）意味着更低的传导损耗，直接转化为更少的发热和更高的能源利用率。无论是用于PFC电路、DC-DC转换器的主开关，还是作为电机控制中的驱动元件，它都能帮助您的设计在性能与成本之间找到最佳平衡点。

选择STP9NM40N，不仅仅是选择了一颗性能参数优秀的晶体管，更是选择了一份来自业界巨头的品质承诺与经过市场长期验证的稳定性。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其成为许多经典或长生命周期产品维护、升级的优选。通过值得信赖的ST授权代理渠道，您依然可以获取到可靠的货源与专业的技术支持，确保您的供应链稳定无忧。让这颗久经考验的“老兵”，以其卓越的能效表现和坚固耐用的特性，继续为您的创新产品注入强劲而持久的动力。

• 型号:STP9NM40N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:365 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NM40N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。