STB13NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受600V的高压，同时又要保证高效、稳定的电流控制时，选择一款得力的MOSFET至关重要。今天，我们向您隆重介绍一款能够完美平衡性能与可靠性的解决方案STB13NM60N。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的强大引擎。

源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，这款N沟道功率MOSFET天生就拥有卓越的基因。其600V的漏源电压和高达11A的连续漏极电流，为您的设计提供了宽裕的安全边际和强大的功率处理能力。更令人印象深刻的是，它在10V驱动电压下，导通电阻低至360毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。当系统效率每提升一个百分点都意味着巨大的市场优势时，STB13NM60N带来的高效能转换，直接转化为您产品的节能优势和更长的运行寿命。选择可靠的ST一级代理，正是确保您能稳定获得如此高品质芯片、保障供应链顺畅的第一步。

想象一下，在开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路中，STB13NM60N能够以极快的开关速度和低栅极电荷（仅30nC），显著降低开关损耗，让您的电源设计轻松满足80 Plus能效标准。在电机驱动、工业照明镇流器或是不间断电源（UPS）系统中，其坚固的D2PAK封装和高达90W的功率耗散能力，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行，即使结温高达150°C也能从容应对。它就像一位沉默而强大的守护者，嵌入在各种高要求的应用核心，默默提升着整个系统的能效与可靠性。

那么，为什么众多工程师在面临高压、中功率应用选型时，会倾向于STB13NM60N？答案在于它提供的卓越价值总和。它不仅仅提供了优异的电气参数，更通过MDmesh II技术实现了导通电阻与栅极电荷之间的最佳折衷，这是实现高频高效开关的关键。较低的输入电容（Ciss）简化了驱动电路设计，让您的系统更易控制、响应更快。从原型设计到批量生产，选择STB13NM60N意味着您选择了一个经过市场验证、由全球半导体领袖ST意法半导体提供的可靠解决方案。它将帮助您缩短开发周期，降低系统总成本，并最终打造出在性能、效率和可靠性上都更具吸引力的终端产品。

• 型号:STB13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB13NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。