STB155N3LH6

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高达80A的电流下，将导通电阻降至仅3毫欧的功率开关，将为您的系统效率带来怎样的飞跃？今天，我们为您带来的STB155N3LH6，正是这样一款旨在重塑功率密度的标杆之作。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体尖端STripFET VI技术与DeepGATE工艺的结晶，专为挑战极限的应用而生。

当您设计新一代的服务器电源、高性能计算单元的VRM，或是需要强劲动力的电动工具、无人机电调时，STB155N3LH6的价值将展露无遗。其30V的漏源电压与高达80A的连续电流能力，为12V至24V总线系统提供了坚实可靠的心脏。更低的Rds(on)意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体能效，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的续航和稳定性脱颖而出。无论是应对瞬间大电流冲击，还是在紧凑空间内实现高功率密度布局，它都能游刃有余。

选择STB155N3LH6，就是选择了一份对卓越性能的承诺。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关特性，显著降低了驱动损耗和开关噪声，让您的控制环路设计更为简洁高效。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性与可靠性。采用坚固的D2PAK封装，不仅散热性能出众，也完全兼容自动化表面贴装生产，助力您快速实现量产。如果您正在寻找能够同时征服效率、功率与可靠性高峰的解决方案，STB155N3LH6无疑是您的不二之选。如需获取样品、技术资料或采购支持，欢迎联系我们的ST中国代理，我们将为您提供全方位的专业服务。

• 型号:STB155N3LH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB155N3LH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。