STB160NF3LLT4

想象一下，您的电源转换系统正因功率器件的导通损耗而效率受限，每一瓦的浪费都在侵蚀产品的竞争力与用户的信任。此刻，一颗能够在高电流下依然保持超低导通电阻的MOSFET，就是破局的关键。这正是STB160NF3LLT4诞生的使命它不仅仅是一个电子元件，更是您提升能效、释放系统潜能的动力核心。

源自意法半导体备受赞誉的STripFET III技术平台，这颗N沟道功率MOSFET将性能推向了新的高度。其核心魅力在于，在高达160A的连续漏极电流下，导通电阻（Rds(on)）可低至惊人的3.3毫欧。这意味着在您的大电流应用，如服务器电源、高性能DC-DC转换器或电机驱动中，由它产生的热量将大幅减少，系统得以在更凉爽、更稳定的状态下全速运行，直接转化为更长的设备寿命和更低的散热成本。选择可靠的ST一级代理，是确保您获得如此卓越正品芯片并得到专业技术支持的第一步。

无论是面对数据中心里要求严苛的负载点（POL）转换，还是工业自动化中需要瞬间爆发力的电机控制，STB160NF3LLT4都能轻松胜任。其30V的漏源电压和优化的栅极电荷（Qg）特性，确保了快速、干净的开关动作，让您的设计在追求高效率的同时，也能拥有出色的动态响应。采用坚固的D2PAK封装，它不仅提供了优异的功率耗散能力（高达300W），其表面贴装形式也完全契合现代自动化生产的需求，让您的制造流程更流畅，产品一致性更高。

那么，在纷繁的元器件市场中，为何要锁定STB160NF3LLT4？答案在于它提供的综合价值。它用极致的低阻特性，直接降低了系统的运营成本；它以稳健的电气参数，保障了产品在各种工况下的可靠性；它背后ST意法半导体的品牌与技术积淀，更是您项目长期成功的坚实后盾。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其在特定升级、备件或对性能有极致要求的存量设计中，依然闪耀着不可替代的价值。为您的关键应用选择一颗经过考验的“心脏”，让效率与可靠不再只是参数，而是您产品的真实体验。

• 型号:STB160NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB160NF3LLT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。