STB24N60M6

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为功率器件的损耗和散热问题而困扰？现在，让我们为您介绍一个改变游戏规则的解决方案STB24N60M6。这款来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，以其卓越的MDmesh M6技术，重新定义了600V功率开关的性能标杆。它不仅意味着更低的导通损耗和开关损耗，更代表着您的系统将获得前所未有的效率提升与温升控制，让能量转换过程更加“冷静”而高效。

想象一下，无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STB24N60M6都能成为其中坚力量。在严苛的工业环境中，它凭借600V的漏源电压和高达17A的连续漏极电流能力，轻松应对高电压、大电流的挑战，确保系统稳定运行。其表面贴装的D2PAK封装，不仅提供了出色的散热性能，还简化了PCB布局与生产流程。当您需要构建一个既紧凑又强健的功率级时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。通过与专业的ST代理商合作，您可以轻松获取这颗优质芯片，并获得全面的技术支持，加速您的产品上市进程。

那么，在众多功率器件中，为何要选择STB24N60M6？答案在于其带来的综合价值远超单一参数。它不仅仅是提供了一个开关，更是为您系统的整体能效、可靠性及长期运营成本带来了优化。更低的损耗直接转化为更少的发热，这不仅降低了散热设计的复杂性与成本，更延长了周边元器件的寿命，提升了整个产品的市场竞争力。选择STB24N60M6，就是选择了一份由全球半导体领袖ST意法半导体背书的品质承诺，选择了一条通往更高性能、更优能效的清晰路径。让它为您的下一个设计注入强大动力，共同开启高效电能新时代。

• 型号:STB24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB24N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。