STH130N10F3-2

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高频切换中保持冷静，在严苛环境下稳定输出的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计。今天，我们为您带来的STH130N10F3-2，正是这样一款源自ST意法半导体尖端STripFET III技术的杰作，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统能效与可靠性的强大引擎。

这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流承载能力，这意味着它天生就是为高功率密度应用而生的。无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC转换，还是工业电机驱动中需要快速响应的逆变环节，甚至是不断追求更长续航和更快充电的新能源汽车车载充电机(OBC)，STH130N10F3-2都能游刃有余。其表面贴装的H2PAK-2封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，让热量能够迅速导出，确保系统在-55°C至175°C的广阔结温范围内持续稳定工作。当您的设计面临高温挑战时，它依然能保持高性能输出。

选择STH130N10F3-2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、60A电流下，最大值仅为9.3毫欧。这个数字直接转化为更低的导通损耗，意味着更少的能量以热量的形式浪费掉，您的系统效率将得到显著提升。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速且干净的开关行为，进一步降低了开关损耗，让高频开关电源设计变得轻松而高效。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和升级项目中依然具有极高的价值。为确保您能获得可靠的正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行咨询与采购，他们能为您提供完整的供应链保障与资深的应用指导。让STH130N10F3-2的强悍性能，成为您产品在市场中脱颖而出的坚实基石。

• 型号:STH130N10F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH130N10F3-2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。