STB16N65M5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗、热管理和系统稳定性而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STB16N65M5，这颗源自意法半导体MDmesh V家族的N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。凭借650V的卓越耐压能力和12A的连续漏极电流，它为您的设计注入了澎湃而稳定的动力源泉，让高效与可靠从此不再是一道选择题。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高性能充电桩的核心电路中，STB16N65M5正以其低至299毫欧的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），大幅降低开关损耗和导通损耗。这意味着您的系统能够在更宽的负载范围内保持高效率，同时显著减少发热，让散热设计更简单，系统运行更凉爽、更安静。其D2PAK封装不仅提供了出色的功率耗散能力（高达90W），更确保了在严苛环境下的长期稳定性和坚固性，即使面对150°C的高结温挑战也游刃有余。

选择STB16N65M5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的背书。它继承了MDmesh V系列的超结技术精髓，在开关速度和电磁干扰（EMI）性能之间取得了精妙的平衡。无论您是设计新一代的SMPS、PFC电路，还是需要高性能的电机控制解决方案，这颗芯片都能帮助您缩短开发周期，降低系统总成本，并最终打造出在能效和可靠性上脱颖而出的终端产品。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的成功之路保驾护航。

• 型号:STB16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB16N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。