STB18N60DM2

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STB18N60DM2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和12A的连续漏极电流，为您的高要求应用注入强大而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升整机效率、缩小产品体积、赢得市场竞争的关键伙伴。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高性能LED照明驱动器中，STB18N60DM2正以其卓越的性能默默工作。它基于先进的MDmesh DM2技术平台打造，其超低的导通电阻（RDS(on)）意味着更少的传导损耗，电能得以更高效地传递而非转化为无谓的热量。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关过程中的能量损失，让您的系统即使在高速开关频率下也能保持冷静与高效，轻松应对严苛的工业环境与连续满载运行的挑战。

选择STB18N60DM2，就是选择了一份经得起考验的可靠保障。其高达150°C的结温工作能力和坚固的D2PAK封装，确保了器件在高温高应力环境下的长期稳定性，极大延长了产品的使用寿命。这意味着更低的现场故障率、更少的维护成本和更高的客户满意度。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的一站式服务。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您下一个爆款产品中无可替代的“能量心脏”，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STB18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。