STB200N4F3

在追求极致效率的电源与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热瓶颈和系统可靠性而烦恼？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STB200N4F3。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能参数，正重新定义中高功率应用的性能标准。想象一下，一颗能够持续承载120A电流、导通电阻低至4毫欧的“能量开关”，将如何为您的设计注入澎湃动力与超高效率？这不仅仅是参数的提升，更是整体系统性能的飞跃。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是新能源车车载充电器(OBC)和DC-DC转换模块，STB200N4F3都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达300W的功率耗散能力，为系统提供了宽裕的安全余量和强大的散热潜力。采用先进的STripFET技术，它确保了在高温（结温高达175°C）下依然保持稳定的低导通电阻，这意味着更低的导通损耗、更少的发热量，以及最终更长的设备寿命和更低的系统冷却成本。当您的竞争对手还在为温升妥协性能时，您已经凭借这颗芯片实现了能效与可靠性的双重领先。

选择STB200N4F3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、缩短研发周期的战略伙伴。其D2PAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间效率，便于生产贴装。虽然该型号已处于停产状态，但通过正规的ST代理商渠道，您依然可以获取可靠的库存或找到完美的升级替代方案，确保项目供应链的稳定。立即行动，让这颗性能猛兽为您的下一个创新项目保驾护航，开启高效、可靠的电能控制新纪元！

• 型号:STB200N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB200N4F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。