STB20N90K5

当您的工业电源或电机驱动系统需要面对900V高压的严苛考验时，如何确保开关电源的核心功率开关器件，既能稳定可靠，又能实现卓越的效率？答案就蕴藏在STB20N90K5这颗高性能N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能源高效转换的得力伙伴。

想象一下，在服务器电源、工业焊接设备或是不间断电源（UPS）系统中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的产生。STB20N90K5凭借其先进的MDmesh K5技术，将导通电阻（RDS(on)）在10V驱动下优化至仅250毫欧（@10A），这意味着更低的传导损耗和更少的热量积聚。高达250W（Tc）的功率耗散能力，配合DPAK（TO-263）封装卓越的散热性能，让您的设备即使在-55°C至150°C的宽温范围内也能游刃有余，大幅提升了系统的长期运行可靠性，减少了因过热导致的故障风险。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它将直接赋能于您的产品设计，让您在面对复杂的电磁环境和高频开关需求时更加从容。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这有助于简化您的驱动电路设计，提升整体开关频率，从而让电源尺寸更小、功率密度更高。无论是追求极致效率的太阳能逆变器，还是要求严苛稳定性的工业电机驱动，STB20N90K5都能成为您电路中的“定海神针”。选择它，就是选择了一份来自ST意法半导体的品质承诺与技术创新。为确保您获得原装正品与完善的技术支持，我们强烈建议您通过官方ST授权代理进行采购，为您的项目成功增添一份可靠保障。

归根结底，选型就是选择未来。在高压、高功率的应用赛道上，STB20N90K5以其900V的坚固耐压、20A的强大电流承载能力，以及MDmesh系列一贯的高效基因，为您提供了清晰而强大的技术选项。它不仅能帮助您轻松应对当下的设计挑战，更能让您的产品在能效、可靠性和功率密度方面脱颖而出，赢得市场的长久青睐。现在，就让这颗高性能MOSFET，成为您撬动更高价值产品的技术支点。

• 型号:STB20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB20N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。