STB21NM50N

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为如何在高压、高功率应用中实现更低的损耗和更高的可靠性而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB21NM50N。这款源自意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其500V的耐压和18A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效与稳定的代名词。即便处于停产状态，其卓越的性能和广泛的应用基础，依然使其在特定存量市场和升级替换方案中闪耀着不可替代的价值。

想象一下，在您熟悉的开关电源、电机驱动或PFC（功率因数校正）电路中，STB21NM50N正默默发挥着核心作用。它那低至190毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更少的能量以热量形式浪费，直接提升了整机效率，让您的设备运行更“冷静”，寿命更长久。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更为迅速、干净，这不仅减少了开关损耗，也简化了驱动电路的设计，让系统在高效与可靠之间找到了完美平衡。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是高功率LED驱动和电焊机，它都能游刃有余，应对高压环境的严苛挑战。

选择STB21NM50N，就是选择了一份经过时间淬炼的信任。其D2PAK封装提供了优异的散热能力和机械强度，确保在表面贴装工艺下依然稳定可靠，最高结温150°C的设计赋予了它应对热应力的强大底气。对于正在维护现有产品线或寻找经典方案直接替换的您而言，这颗芯片代表的是一种风险极低、性能有保障的技术路径。当然，要获取这样一颗经典且可靠的芯片，选择一家值得信赖的ST芯片代理至关重要，他们不仅能提供正品保障，还能为您库存管理和替代方案咨询提供专业支持。让STB21NM50N的成熟魅力，继续为您的产品注入高效稳定的动力源泉。

• 型号:STB21NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB21NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。