STB22N60DM6

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STB22N60DM6。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其先进的MDmesh M6技术，将600V的耐压能力与仅为240毫欧的超低导通电阻完美结合，为您带来前所未有的高效率与功率密度。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或UPS不间断电源等严苛的应用场景中，STB22N60DM6正以其卓越的性能稳定运行。其15A的连续漏极电流和130W的强大功率处理能力，确保了系统在高负载下的坚如磐石。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计轻松实现更高的开关频率，从而缩小磁性元件体积，让整个系统更加紧凑、轻量化。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性和长期可靠性，无论面对何种挑战，都能从容应对。

选择STB22N60DM6，就是选择了一份安心与高效。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能，也兼容成熟的表面贴装工艺，大大简化了您的生产流程。这颗芯片的价值在于，它通过降低导通和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的能源利用率，为您节省可观的运营成本。当您需要可靠的技术支持和供货保障时，专业的ST代理商将是您坚实的后盾，确保您能顺利地将这一尖端技术集成到您的下一代明星产品中。立即采用STB22N60DM6，开启高效、可靠、紧凑的功率设计新篇章！

• 型号:STB22N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB22N60DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。