STB23NM60ND

您是否正在为下一代电源设计寻找一颗既能承受高压冲击，又能保持高效运行的核心开关器件？想象一下，在工业电机驱动、服务器电源或高功率LED照明系统中，每一次开关都关乎着整体系统的稳定与寿命。今天，我们为您带来的STB23NM60ND，正是为应对这些严苛挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体FDmesh II技术家族的杰出代表，以其600V的坚固耐压和19.5A的强大电流处理能力，为您的设计注入澎湃而可靠的能量核心。

这颗芯片的价值，在复杂的应用场景中体现得淋漓尽致。无论是需要频繁启停、对抗电压尖峰的变频器，还是追求极致能效和紧凑空间的开关电源（SMPS），STB23NM60ND都能游刃有余。其表面贴装的D2PAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更确保了出色的散热性能，让系统在高达150°C的结温下依然稳定工作。当您的产品面临高温、高湿、高振动的工业环境考验时，这颗芯片的稳健表现，就是您产品品质最有力的背书。

选择STB23NM60ND，意味着您选择了一份经过市场验证的卓越性能与长期可靠性。其180毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率，帮助您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源设计在动态响应和温升控制上达到新的平衡。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理商，您依然可以获取库存或找到完美的升级替代方案，确保您的生产计划无缝衔接。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为产品竞争力加码的战略投资。

• 型号:STB23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB23NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。