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TS861IDT
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:集成电路(IC) > 线性 > 比较器,封装:8-SOIC
- 技术参数:IC COMPARATOR 1 GEN PUR 8SOIC
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
TS861IDT参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电子设计领域,您是否还在为寻找一款能在宽电压范围内稳定工作、功耗极低且响应迅速的比较器而烦恼?现在,答案已经揭晓。来自ST意法半导体的TS861IDT通用比较器,正是为满足严苛应用需求而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品性能、延长电池寿命、确保系统稳定性的得力助手。
想象一下,在便携式医疗设备中,它能够精准地监测生命体征信号的微小变化;在工业传感器节点中,它能在恶劣环境下可靠地触发报警或控制信号;在电池供电的物联网终端里,它凭借超低的静态电流,让设备在“睡眠”中也能保持敏锐的感知,为您的产品带来前所未有的续航能力。无论是消费电子、工业控制还是汽车电子,TS861IDT都能无缝融入,成为信号链中那颗可靠而高效的“决策大脑”。
选择TS861IDT,意味着您选择了一种高价值的平衡艺术。它在2.7V至10V的宽电源电压范围内游刃有余,为您提供了极大的设计灵活性。同时,其低至16A的静态电流和仅300pA的输入偏置电流,将功耗降至冰点,是电池驱动应用的理想之选。高达70dB的共模抑制比(CMRR)确保了它在嘈杂环境中依然能做出清晰准确的判断,而2s的快速传播延迟则能满足实时控制的需求。所有这些优势,都封装在标准的8-SOIC表面贴装封装内,便于生产和集成。为确保您获得原装正品与完善的技术支持,我们强烈建议您通过官方ST授权代理进行采购,为您的项目成功增添一份可靠的保障。
- 型号:TS861IDT
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路(IC) > 线性 > 比较器
- 描述:IC COMPARATOR 1 GEN PUR 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 类型:标准(通用)
- 元件数:1
- 输出类型:推挽式
- 电压 - 供电,单/双(±):2.7V ~ 10V
- 电压 - 输入补偿(最大值):15mV @ 5V
- 电流 - 输入偏置(最大值):300pA @ 5V
- 电流 - 输出(典型值):-
- 电流 - 静态(最大值):16A
- CMRR,PSRR(典型值):70dB CMRR
- 传播延迟(最大值):2s
- 滞后:-
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 等级:-
- 资质:-
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- TS861IDT的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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