STL33N60M2

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否还在为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能够在600V高压下稳定运行，同时将导通电阻降至极低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源设计格局。今天，我们向您隆重介绍STL33N60M2，这颗源自意法半导体MDmesh II Plus家族的明星产品，正是为破解高效与可靠难题而生。

它不仅仅是一个参数表上的数字，更是您提升产品竞争力的秘密武器。其135毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的电流负载下，能量以热形式耗散的部分被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。配合高达22A的连续漏极电流承载能力和190W的强大功率处理能力，它让大功率应用举重若轻。无论是面对工业电机驱动的严苛环境，还是服务器电源对稳定性的极致要求，亦或是新能源领域如太阳能逆变器、电动汽车充电桩的复杂工况，STL33N60M2都能以其坚实的性能内核，确保系统心脏强劲而持久地跳动。

选择STL33N60M2，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。其采用的先进MDmesh II Plus技术，在开关速度和导通损耗之间取得了精妙的平衡，47nC的低栅极电荷让开关动作干净利落，进一步减少了开关损耗。表面贴装的PowerFlat HV封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能确保芯片在高达150°C的结温下依然稳定工作，大大提升了系统的功率密度和可靠性。当您需要可靠的原厂货源和专业的技术支持时，我们的合作伙伴资深的ST一级代理，将为您提供从选型到量产的全链路服务。让STL33N60M2成为您下一个爆款产品的能量基石，与我们一同开启高效、紧凑、可靠的电源新时代。

• 型号:STL33N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:135 毫欧 @ 10.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL33N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。