STB24NM65N

当您需要在高功率应用中实现效率与可靠性的完美平衡时，是否曾为选择一款合适的功率开关器件而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB24NM65N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其650V的耐压能力和高达19A的连续漏极电流，天生就是为应对严苛的工业环境而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、简化设计复杂度的得力助手。

想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心电路中，STB24NM65N正以其卓越的性能稳定运行。它采用了先进的MDmesh II技术，这项技术通过优化单元结构和工艺，显著降低了导通电阻（Rds(on)），在9.5A电流和10V驱动电压下，其最大值仅为190毫欧。这意味着更低的导通损耗，更少的热量产生，直接为您带来更高的系统整体效率和更长的使用寿命。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），让开关过程更加迅速、干净，有效减少了开关损耗，特别适合高频开关应用，让您的电源设计在效率和响应速度上都脱颖而出。

选择STB24NM65N，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。ST意法半导体的MDmesh II系列以其高可靠性和一致性闻名业界。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为许多经典或长生命周期产品升级、维护的优选库存器件。其坚固的D2PAK封装提供了出色的功率耗散能力（最高160W）和机械强度，表面贴装设计便于自动化生产。高达150°C的结温工作范围，确保了它在高温环境下的稳定表现。当您需要为关键应用寻找一个值得信赖的功率核心时，STB24NM65N所代表的稳定、高效与可靠，正是您最坚实的理由。如需获取此型号或咨询其他ST产品，我们的ST芯片代理团队随时为您提供专业支持与服务。

• 型号:STB24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB24NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。