STB25NM60N-1

当您在设计下一代高效能电源系统时，是否曾为平衡功率密度、系统可靠性与整体成本而感到困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STB25NM60N-1。这颗高性能N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和高达21A的连续漏极电流，为您打开了通往更高能效与更紧凑设计的大门。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STB25NM60N-1正在核心位置稳定工作。其MDmesh II技术带来了革命性的低导通电阻，在10V驱动电压下，典型值仅为160毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是工业变频器、不间断电源（UPS），还是电焊机、照明镇流器，这颗芯片都能轻松应对严苛的功率转换任务，确保系统在高温高负荷环境下依然保持强劲而稳定的输出，让您的终端设备赢得市场持久的信赖。

选择STB25NM60N-1，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关损耗，让您的系统效率再上一个台阶，轻松满足日益严苛的能效标准。通孔I2PAK封装提供了优异的散热性能和机械强度，简化了您的生产流程。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能使其在存量市场及特定延续性项目中依然极具价值。为确保您获得原装正品与可靠供应，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。立即行动，让STB25NM60N-1成为您经典设计中不可或缺的功率基石，释放每一瓦特的潜能，创造更高效、更可靠的未来。

• 型号:STB25NM60N-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB25NM60N-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。