STB26N60M2

在追求极致能效与可靠性的功率转换领域，您是否还在为开关损耗、散热设计和系统成本之间的平衡而烦恼？现在，一个卓越的解决方案已经到来STB26N60M2。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和20A的连续电流能力，为您打开了高效、紧凑且经济的设计新大门。它不仅仅是又一个功率开关，更是MDmesh M2技术家族的杰出代表，专为解决中高功率应用的严苛挑战而生。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或不断电供应系统（UPS）中，STB26N60M2正以其超低的导通电阻（典型值仅165毫欧）和优化的栅极电荷（Qg），显著降低导通损耗和开关损耗。这意味着您的系统能够在更低的温升下运行，不仅提升了整体效率，更能让散热设计变得更加简单，直接降低了材料与组装成本。其卓越的雪崩耐量和坚固性，确保了即使在恶劣的工业环境下也能稳定工作，大幅延长了终端产品的使用寿命，让您的设计在市场上更具竞争力。

选择STB26N60M2，就是选择了一份安心与高效。它完美平衡了性能与成本，让您在实现高功率密度设计的同时，无需为可靠性妥协。其表面贴装D2PAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，也适合自动化生产，加速您的产品上市进程。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，请务必通过官方ST授权代理进行采购，确保获得正品保障和全面的应用支持。无论是升级现有方案还是开发新一代产品，STB26N60M2都是您值得信赖的功率核心，助您轻松驾驭600V功率舞台，将创意高效转化为市场优势。

• 型号:STB26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:169W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB26N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。