STB26NM60ND

当您的电源设计需要在600V高压下稳定运行，同时还要兼顾效率和散热时，您是否在寻找一个值得信赖的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体的高性能功率器件STB26NM60ND。它不仅仅是一个MOSFET，更是您构建高效、可靠电力系统的坚实基石。其卓越的电气性能和坚固的物理封装，专为应对严苛的工业环境而生，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的稳定性和能效脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或太阳能逆变器的核心电路中，STB26NM60ND正默默发挥着关键作用。它高达21A的连续漏极电流和仅为175毫欧的低导通电阻，意味着在能量转换过程中，损耗被降至极低，热量产生更少，系统整体效率得到显著提升。这直接转化为更长的设备运行时间、更低的运营成本，以及更小的散热系统需求，为您从设计到维护的每一个环节都节省了宝贵的资源和空间。

选择STB26NM60ND，就是选择了一份来自意法半导体FDmesh II技术的品质承诺。这项先进的工艺技术确保了器件在高压开关应用中具有更快的开关速度和更优的雪崩耐量，从而带来无与伦比的坚固性和可靠性。其D2PAK封装提供了优异的功率耗散能力（高达190W），确保芯片在高负荷下也能保持冷静运行。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以获得稳定库存和专业的技术支持，为您的现有产品维护和升级提供持续保障。这不仅仅是一个元器件的采购，更是一次为产品注入长久生命力和卓越性能的价值投资。

• 型号:STB26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB26NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。