STB28N60DM2

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案意法半导体MDmesh DM2系列中的明星产品：STB28N60DM2。这颗600V、21A的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能，正重新定义中高功率应用的能效标准，让您的设计不仅强大，更显智慧。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心电路中，每一次开关都意味着能量的损耗与热量的积累。STB28N60DM2凭借其先进的MDmesh DM2技术，将导通电阻（Rds(on)）显著降低，在10V驱动电压下典型值仅为160毫欧。这意味着更低的导通损耗，电能得以更高效地传输，而非浪费在发热上。其高达170W的功率耗散能力与优异的开关特性（Qg仅34nC），确保了系统在高频开关下依然保持冷静与稳定，直接助力您的终端产品提升能效等级，减少散热系统复杂度与整体成本。

无论是面对严苛的工业环境，还是需要7x24小时连续运行的通信基础设施，选择STB28N60DM2就是选择了安心与前瞻性。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）提供了巨大的设计余量，D2PAK封装则兼顾了功率处理能力与自动化生产的便利性。当您致力于打造更节能、更紧凑、更可靠的电源与电机控制方案时，这颗芯片就是您值得信赖的伙伴。我们作为值得信赖的ST中国代理，不仅提供原装正品，更提供深度的技术支持和供应链保障，助您将这款高性能器件的潜力完全释放，快速响应市场对高效绿色的迫切需求。

• 型号:STB28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB28N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。