STW56N65DM2

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高功率应用中的开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能在650V高压下稳定输出48A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计格局？今天，我们为您带来的正是这样一款划时代的解决方案STW56N65DM2。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh DM2技术皇冠上的一颗明珠，专为挑战效率极限而生。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断演进的新能源汽车充电桩和太阳能逆变器，对功率器件的核心诉求都指向了高效、低温与稳定。STW56N65DM2凭借其卓越的65毫欧超低导通电阻（在24A，10V条件下），能显著降低传导损耗，让更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其高达360W的功率耗散能力与-55°C至150°C的宽广工作结温范围，意味着它在严苛环境下依然游刃有余，大幅提升了系统的整体可靠性与寿命。当您的竞争对手还在为散热设计焦头烂额时，您已经凭借这颗芯片的卓越性能，构建起了难以逾越的技术壁垒。

选择STW56N65DM2，就是选择了一份面向未来的投资。它集成了意法半导体先进的MDmesh DM2技术，在开关速度与电磁干扰（EMI）之间取得了精妙平衡，88nC的较低栅极电荷有助于实现更高频率的开关，从而让您的电源设计可以更紧凑、更轻量化。经典的TO-247封装确保了出色的散热性能和坚固的机械可靠性，让集成与生产都变得轻松简单。更重要的是，通过与值得信赖的ST代理商合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取深度的技术咨询，确保这颗强大芯片的潜力在您的产品中得到百分之百的释放。立即行动，让STW56N65DM2成为您下一代高性能电源系统的强大心脏，驱动无限可能。

• 型号:STW56N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 48A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:88 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW56N65DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。