STD5N95K3

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？让我们向您介绍一个卓越的解决方案STD5N95K3。这款来自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和仅为3.5欧姆的低导通电阻，为您带来前所未有的性能突破。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗、并实现设计小型化的得力助手。

想象一下，在那些对效率和稳定性要求极高的应用场景中，STD5N95K3正大显身手。无论是服务器电源、工业电源、LED照明驱动，还是电动工具充电器，这颗芯片都能轻松应对高电压环境下的严苛挑战。其卓越的开关特性确保了快速响应和极低的开关损耗，让您的产品在满负荷运行时依然保持冷静，有效延长了系统寿命。选择它，意味着您为产品内置了一颗强劲而稳定的“心脏”，确保在各种复杂工况下都能持续、可靠地输出动力。

那么，在众多同类产品中，为何STD5N95K3能脱颖而出？答案在于其背后强大的技术基因与卓越的价值体现。它继承了ST SuperMESH3技术的精髓，在击穿电压和导通电阻之间取得了完美平衡，这意味着您能以更低的导通损耗获得更高的功率密度。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了驱动要求，让您的驱动电路设计更简单、更高效。此外，通过正规的ST授权代理渠道获取，您不仅能确保芯片的原装正品与稳定供应，还能获得专业的技术支持与供应链保障，让您的项目从研发到量产全程无忧。选择STD5N95K3，就是选择了一份来自行业巨头的品质承诺与面向未来的性能保障。

• 型号:STD5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N95K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。