STB36NM60N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STB36NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其600V的耐压和29A的连续电流能力，天生就是为高效、稳健的应用而打造。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体性能、降低运营成本的关键赋能者。

想象一下，在电动汽车的车载充电器(OBC)中，能量需要被快速、高效地转换；在工业电机驱动和服务器电源中，系统必须7x24小时稳定运行，任何故障都意味着巨大的损失。这正是STB36NM60N大显身手的舞台。其采用的先进MDmesh II技术，专为优化开关性能而生，能显著降低导通电阻和栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，从而直接转化为更高的系统效率和更低的温升。当您的设备运行得更“冷静”，其寿命和可靠性自然得到大幅提升。

选择STB36NM60N，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。它隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列，这代表了它经历了严苛的可靠性测试，能够从容应对汽车电子乃至工业环境中的振动、高温和电压冲击。其D2PAK封装提供了优异的散热能力和功率密度，让您的PCB布局更加游刃有余。无论您是设计新一代的太阳能逆变器、UPS不同断电源，还是高功率的LED照明驱动，这颗芯片都能提供坚实的性能基础。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST代理商将是您值得信赖的合作伙伴，为您提供从选型到量产的全方位支持。让STB36NM60N成为您下一个成功产品的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STB36NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB36NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。