STB3N62K3

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭620V高压与2.7A电流，却将导通电阻和栅极电荷双双优化的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局？答案就在STB3N62K3之中。这款源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，正是为应对严苛能效挑战而生的利器。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键一步。

无论是开关电源（SMPS）中的主开关、功率因数校正（PFC）电路，还是电机驱动、照明镇流器等工业应用，STB3N62K3都能游刃有余。其620V的漏源电压提供了充裕的电压裕度，确保在电网波动或感性负载下依然稳定可靠。而2.7A的连续电流处理能力，结合仅2.5欧姆的低导通电阻，意味着在导通期间的能量损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。对于设计师而言，这直接简化了散热设计，允许使用更小的散热器甚至无需散热器，为产品小型化打开了新的空间。

选择STB3N62K3，就是选择了一套经过市场验证的高性能解决方案。其采用的SuperMESH3技术，是ST在高压MOSFET领域深厚积累的结晶，专门优化了开关性能。极低的栅极电荷（仅13nC）和输入电容，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，这对于高频开关应用至关重要，能轻松满足日益严格的能效标准。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和可靠性使其在存量市场及特定长期需求项目中依然极具价值。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让这颗凝聚了尖端技术的功率器件，为您的下一个项目注入高效、可靠的核心动力，助您在市场竞争中率先冲线。

• 型号:STB3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB3N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。