STB40N20

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为寻找一颗能在高压、大电流下稳定工作，同时兼顾低损耗与出色散热表现的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案STB40N20。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其200V的耐压和高达40A的连续电流承载能力，专为应对严苛的工业与汽车应用挑战而生，是您构建高效、紧凑且可靠电源系统的理想基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或电动汽车的车载充电器中，能量转换的效率直接决定了系统的整体性能和运行成本。STB40N20正是为此类场景量身打造。它采用了意法半导体引以为傲的STripFET技术，这项技术使其在导通时电阻极低，最大值仅为45毫欧。这意味着在您的大功率应用中，由开关损耗带来的热量将显著减少，系统得以在更凉爽、更稳定的状态下运行，从而延长整体设备寿命，并为您节省可观的散热与能源成本。其坚固的D2PAK封装不仅提供了卓越的功率耗散能力（高达160W），更能轻松应对表面贴装生产流程，助力您实现高密度、高可靠性的PCB设计。

选择STB40N20，不仅仅是选择了一颗性能参数出色的芯片，更是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与长期价值。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及市场上稳定的库存支持，使其依然是许多经典和延续性项目的可靠之选。对于需要此类高可靠性元件的工程师而言，通过与值得信赖的ST中国代理合作，您依然可以便捷地获取这颗久经考验的“功勋”器件，确保您的产品在性能与供应链安全上均无后顾之忧。让STB40N20成为您动力系统中的沉默守护者，以高效、可靠的表现为您的产品价值保驾护航。

• 型号:STB40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB40N20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。