STB41N40DM6AG

想象一下，在您设计的下一代汽车电子系统中，如何确保功率转换环节既高效又可靠？答案或许就藏在这颗专为严苛环境而生的功率器件中。今天，我们向您隆重介绍STB41N40DM6AG，它不仅仅是一个MOSFET，更是您通往更高能效、更强鲁棒性设计的通行证。这款由意法半导体打造的汽车级N沟道400V功率MOSFET，从诞生之初就承载着应对汽车电子复杂挑战的使命，其卓越的性能参数和经过严格验证的可靠性，将直接转化为您产品在市场上的竞争优势。

当我们将目光投向实际应用，STB41N40DM6AG的身影活跃于众多关键场景。无论是电动汽车的OBC（车载充电器）和DC-DC转换器，还是传统汽车中的电机驱动、LED照明驱动和电源管理系统，它都能游刃有余。其400V的漏源电压和优化的导通电阻，意味着在高压环境下它能更从容地处理功率流，减少能量损耗，让系统整体效率显著提升。面对引擎舱内的高温震动，或是冬季的极端低温，其汽车级品质确保了性能的长期稳定，让您的终端产品无惧环境考验，赢得用户信赖。

那么，在众多功率器件中，为何独独要选择它？首先，其TO-263（DPak）的表面贴装封装不仅提供了优异的散热性能，还简化了PCB布局和自动化生产流程，帮助您加速产品上市。更重要的是，它代表了意法半导体在汽车电子领域的深厚积淀，每一颗芯片都经过严苛的AEC-Q101标准认证，这份“出身证明”是品质最有力的背书。选择STB41N40DM6AG，就是选择了一份安心与高效。如果您正在寻找可靠的技术支持与供应渠道，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队，随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务，让创新之路更加顺畅。

• 型号:STB41N40DM6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 400 V
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):41A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 20.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2310 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB41N40DM6AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。