STB45N40DM2AG

当您的电源设计需要在严苛环境下保持稳定高效，同时还要应对紧凑空间和成本控制的挑战时，您是否在寻找一个能一锤定音的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh DM2家族中的明星产品STB45N40DM2AG。这颗专为汽车级应用打造的N沟道功率MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在电动汽车的OBC（车载充电机）中，或者在工业伺服驱动器的功率转换单元里，STB45N40DM2AG正以其卓越的性能默默工作。它高达400V的漏源电压和38A的连续漏极电流，为处理高功率负载提供了坚实的保障。而其核心魅力在于MDmesh DM2技术带来的超低导通电阻在19A电流、10V驱动电压下，Rds(on)最大值仅为72毫欧。这意味着更少的导通损耗，更低的发热量，直接转化为更高的系统效率和更长的使用寿命。无论是面对频繁启停的电机驱动，还是要求严苛的开关电源拓扑，它都能游刃有余，让能量转换过程更加“冷静”且高效。

选择STB45N40DM2AG，就是选择了一份来自AEC-Q101认证的安心。它能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，轻松应对极端温度挑战，满足汽车电子最严格的质量与可靠性标准。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关损耗，让您的开关频率设计更具灵活性，从而帮助您实现更小巧、更轻量的磁性元件设计。表面贴装的D2PAK封装，不仅提供了出色的散热能力（最大功耗250W），也兼容自动化生产，助力您提升制造效率。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系您信赖的ST芯片代理，他们将为您提供从选型到量产的全程专业服务。让STB45N40DM2AG成为您下一代高可靠性电源与电机驱动设计的强大心脏，开启高效、可靠与创新的新篇章。

• 型号:STB45N40DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB45N40DM2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。