STD7N60M2

当您的电源设计需要在600V高压下稳定运行，同时还要兼顾效率和空间时，您是否在寻找一个性能与可靠性兼备的解决方案？这正是STD7N60M2大显身手的舞台。作为ST意法半导体MDmesh II Plus家族的明星成员，这颗功率MOSFET以其卓越的能效表现，正在重新定义中功率应用的性能标准。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源、照明驱动或电机控制电路中，STD7N60M2正默默发挥着核心作用。其600V的漏源电压和5A的连续电流能力，为反激式、正激式等主流拓扑提供了坚实保障。更令人印象深刻的是，在10V驱动下，其导通电阻低至950毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。搭配仅8.8nC的低栅极电荷，开关速度更快，开关损耗显著降低，让您的系统整体效率轻松跃升一个新台阶，无论是面对严苛的工业环境还是追求静音的消费类产品，都能游刃有余。

选择STD7N60M2，就是选择了一份来自技术前沿的安心。其采用的MDmesh II Plus技术，在导通电阻和栅极电荷之间取得了精妙的平衡，这正是高效开关电源所梦寐以求的特性。DPAK的表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种极端环境下依然稳定可靠。当您需要可靠的原厂货源和技术支持时，我们的ST一级代理身份能为您提供从选型到量产的全程护航。让STD7N60M2成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的能量转换新篇章。

• 型号:STD7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。