STB6NK90ZT4

当您需要一款能在高压环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STB6NK90ZT4这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、强化产品可靠性的强大引擎。凭借高达900V的漏源电压和5.8A的连续漏极电流能力，它天生就是为应对严苛的功率转换挑战而设计，让您的产品在激烈的市场竞争中，拥有从核心开始的性能优势。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或是工业电机驱动应用中，系统需要处理高电压、大电流的切换。STB6NK90ZT4正是为此类场景而生。它采用先进的SuperMESH技术，在导通电阻与开关损耗之间取得了精妙的平衡。这意味着在功率转换过程中，更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被有效利用，直接帮助您降低系统温升，提升整体效率，并可能简化散热设计，让您的产品运行更安静、更持久。无论是面对复杂的工业环境，还是追求极致能效的消费类产品，它都能游刃有余。

选择STB6NK90ZT4，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其极低的栅极电荷和输入电容，意味着它能够被快速驱动，实现更迅捷的开关速度，这对于提升开关频率、减小磁性元件尺寸至关重要。同时，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的D2PAK封装，确保了它在各种恶劣条件下都能稳定工作，大大增强了终端产品的环境适应性和使用寿命。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理将为您提供从选型到供应的全程服务。让这颗集高性能、高可靠性于一体的功率器件，成为您下一代创新产品中最值得信赖的核心。

• 型号:STB6NK90ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB6NK90ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。