STP3NK100Z

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对1000V的高压应用场景，传统的MOSFET往往在导通损耗与开关速度之间难以两全。现在，这一切都将被重新定义。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族的杰出代表STP3NK100Z，这颗N沟道高压MOSFET，正是为突破极限、释放系统潜能而生。

想象一下，在您的开关电源、功率因数校正（PFC）电路或高压电机驱动器中，一颗器件就能稳健地处理高达1000V的漏源电压，并在高达150°C的结温下持续工作。STP3NK100Z凭借其先进的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻（典型值仅6欧姆@1.25A, 10V），这意味着更少的导通损耗，更低的发热，直接转化为您的终端产品更高的效率和更长的使用寿命。其优化的栅极电荷（Qg最大值仅18nC）确保了快速、干净的开关特性，让您的系统在高频下运行依然从容不迫，有效减少电磁干扰（EMI）。

无论是工业级电源、照明镇流器，还是需要高压切换的各类设备，STP3NK100Z都能成为您设计中的坚实基石。其经典的TO-220AB封装，不仅提供了出色的散热能力（最大功耗90W），也便于安装和集成，大大简化了您的生产流程。选择STP3NK100Z，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和经过市场验证的可靠性。我们遍布全球的合作伙伴网络，包括专业的ST代理商，将为您提供从样品申请到批量供应的全方位支持，确保您的项目从设计到量产一路畅通。

在元器件选型的关键时刻，理由往往很简单：卓越的性能参数、值得信赖的品牌、以及能够切实提升终端产品竞争力的价值。STP3NK100Z正是这样一款产品，它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您实现高效、紧凑、可靠高压电源方案的得力助手。让它为您的下一个设计注入强大动力，见证系统性能的显著飞跃。

• 型号:STP3NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。