STK38N3LLH5

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能够在30V、38A的严苛工况下，将导通电阻降至惊人的1.55毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源模块或电机驱动方案？答案就蕴藏在STK38N3LLH5之中。这款来自意法半导体STripFET V家族的N沟道MOSFET，不仅仅是一个元器件，它是您提升系统整体效率、实现紧凑化设计的强大引擎。其卓越的低导通电阻特性，直接转化为更低的传导损耗，意味着在相同输出功率下，您的设备发热更少，运行更凉爽，可靠性自然大幅跃升。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具中需要爆发性扭矩的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中对空间和效率双重敏感的DC-DC转换，STK38N3LLH5都能游刃有余。它专为高电流、高频率开关应用而生，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，确保了快速、干净的开关特性，让您的系统响应更迅捷，电磁干扰（EMI）更易于管理。搭配其独特的PolarPak封装，不仅提供了卓越的散热性能，还能实现双面冷却，为您的PCB布局带来前所未有的灵活性，轻松应对空间受限的挑战。

选择STK38N3LLH5，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与可靠性。它代表了意法半导体在功率MOSFET技术领域的深厚积淀。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高性能、高可靠性存量项目或备品备件的理想选择。对于正在寻找此类成熟、高性能解决方案的工程师，通过专业的ST芯片代理渠道，依然可以获取可靠的货源和技术支持，确保您的经典设计得以延续，性能不打折扣。让这颗曾经的明星器件，继续为您的关键应用注入强劲而高效的动力。

• 型号:STK38N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 38A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.55 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4640 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
• STK38N3LLH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。