STB70NF03L-1

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否还在为寻找一款既能承载大电流，又能保持超低导通损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STB70NF03L-1。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达70A的连续漏极电流和低至9.5毫欧的导通电阻，为您的高功率密度应用注入强劲动力。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体能效、实现设计精简化的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、高功率DC-DC转换器或是电动工具的动力控制单元中，能量转换的每一个环节都至关重要。STB70NF03L-1正是为这些严苛场景而生。其30V的漏源电压和出色的STripFET II技术，确保了在频繁开关和高负载条件下依然稳定可靠。无论是处理瞬间涌流，还是在紧凑空间内进行高效散热，它都能游刃有余，让您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的稳定性和能效脱颖而出。

选择STB70NF03L-1，意味着您选择了一份经过时间淬炼的可靠性。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的市场认可度，对于许多现有产品线的维护与升级而言，它依然是不可或缺的选择。其通孔I2PAK（TO-262）封装兼顾了功率处理能力和安装便利性。当您需要获取这款经典器件或寻求技术支援时，可以随时联系我们的ST中国代理，我们将为您提供专业的供应链支持与本土化服务。让STB70NF03L-1的卓越性能，成为您产品坚固基石的一部分，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STB70NF03L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB70NF03L-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。