STB75NF75LT4

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流、又具备出色开关性能的功率开关而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们聚焦于STB75NF75LT4，这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛应用而生的高性能解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，电流高达75A，电压环境复杂多变。STB75NF75LT4凭借其75V的漏源电压额定值和低至11毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），能够显著降低导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为令人头疼的热量。其采用的先进STripFET II技术，确保了在高速开关状态下依然保持稳定与低损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久。无论是面对瞬间的电流冲击，还是在-55°C至175°C的宽广结温范围内持续工作，它都展现出卓越的坚固性与可靠性，为您的核心设备构筑起坚实的电力防线。

选择STB75NF75LT4，意味着您选择了一种经过市场验证的高价值路径。它完美平衡了性能、尺寸与成本。D2PAK封装提供了优异的散热能力和便于自动化生产的表面贴装便利性，而仅需5V的驱动电压即可实现低导通电阻，大大简化了驱动电路设计，降低了整体系统复杂度。这意味着您可以缩短开发周期，加速产品上市。当您致力于打造下一款明星产品时，与值得信赖的ST代理商合作，获取正品保障与技术支持，能让您的创新之路更加顺畅。让STB75NF75LT4成为您电力设计中的核心支柱，释放设备的全部潜能，共同迈向高效、可靠的未来。

• 型号:STB75NF75LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB75NF75LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。