STB80N20M5

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更紧凑的散热方案时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh V系列中的性能悍将STB80N20M5，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统能效、释放设计潜力的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，能量转换的每一丝损耗都意味着成本的增加和可靠性的挑战。STB80N20M5凭借其卓越的MDmesh V技术，将导通电阻（RDS(on)）在10V驱动下控制在极低的23毫欧，这意味着在高达61A的连续电流下，导通损耗被大幅削减，更多电能被高效转化为有用功，而非令人头疼的热量。其200V的漏源电压耐压值，为您应对复杂的工业电压环境提供了坚实的保障，让系统运行更加稳定从容。

这颗芯片的价值，正体现在它如何让复杂的设计变得简单高效。无论是需要应对频繁开关的开关电源（SMPS），还是对热管理要求严苛的电机控制单元，STB80N20M5都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关损耗，提升了整体频率响应，让您的电源系统不仅跑得快，更跑得“冷静”。表面贴装的D2PAK封装，兼顾了出色的功率处理能力与PCB空间利用率，配合高达190W的功率耗散能力，让散热设计不再是工程师的噩梦。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，可以随时联系我们的ST代理商，获取专业服务。

选择STB80N20M5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它来自意法半导体的尖端产品线，其“有源”状态确保了长期稳定的供应与技术迭代支持。高达150°C的结温工作范围，赋予了产品在恶劣环境下稳定运行的强大韧性。这不仅仅是一次元器件的选型，更是一次对系统未来可靠性、能效表现和总拥有成本的战略性投资。让它成为您下一个明星产品的强大内核，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STB80N20M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):61A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 30.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4329 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80N20M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。