STB85NF55LT4

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流、又具备超低导通损耗的功率开关而苦恼？现在，答案就在眼前STB85NF55LT4，这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统能耗、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，电流高达80A的工况下，STB85NF55LT4凭借其STripFET II技术的加持，能将导通电阻（Rds(on)）控制在惊人的8毫欧以下。这意味着什么？意味着更少的能量以热量的形式白白浪费，更多的电能被高效地输送到负载端。您的电源系统将运行得更凉爽、更稳定，整体效率得到显著跃升，直接转化为可观的运营成本节约和产品可靠性的巨大提升。

无论是面对严苛的工业环境，还是需要紧凑布局的消费类高端电源，这颗芯片都能从容应对。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在极端条件下的稳定运行，而D2PAK封装则提供了优异的散热能力和机械强度，让您的设计无惧挑战。当您需要可靠的原厂正品货源和专业的技术支持时，选择与ST一级代理合作，无疑是保障项目顺利推进、获取最优供应链服务的最佳途径。

选择STB85NF55LT4，就是选择了一份对高性能的承诺。它让您的电源设计不再受限于功率器件的瓶颈，而是可以专注于实现更宏伟的创新蓝图。从降低热管理复杂度到延长设备使用寿命，从提升能效等级到缩小产品体积，这颗芯片所带来的价值将贯穿您产品的整个生命周期。立即将它纳入您的下一代设计，亲身体验由顶尖功率半导体技术驱动的性能革命。

• 型号:STB85NF55LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4050 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB85NF55LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。