STB9NK90Z

当您的电源设计面临高压、高功率密度与可靠性的三重挑战时，是否曾渴望一颗能同时兼顾性能与效率的“心脏”？今天，我们为您带来意法半导体SuperMESH家族中的高压利器STB9NK90Z。它不仅仅是一个900V/8A的N沟道MOSFET，更是您突破传统电源设计瓶颈，迈向高效、紧凑与可靠新纪元的钥匙。

想象一下，在工业开关电源、电机驱动、UPS不间断电源甚至新能源逆变器等严苛的应用场景中，系统需要稳定应对高达900V的电压冲击，同时还要在紧凑的空间内高效处理功率转换。STB9NK90Z正是为此而生。其卓越的SuperMESH技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下优化至仅1.3欧姆（@3.6A），这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。高达160W（Tc）的功率耗散能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保它在最恶劣的环境下也能稳定运行，让您的设备寿命更长，维护更少。

选择STB9NK90Z，就是选择了一份从容与信心。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关损耗，让您的系统开关频率可以更高，从而使用更小的磁性元件，实现整体方案的小型化和轻量化。表面贴装D2PAK封装不仅节省宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升制造效率。无论您是设计新一代高效服务器电源，还是打造更可靠的工业驱动模块，这颗芯片都能成为您提升产品竞争力的核心引擎。如需获取样品或技术支持，我们的专业ST芯片代理团队随时为您服务。

• 型号:STB9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB9NK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。