STD10NM60N

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗与散热问题而妥协？现在，答案来了。意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STD10NM60N，正以其卓越的性能，重新定义600V功率开关的标杆。它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、可靠、紧凑电源设计的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，一颗芯片需要同时承受高压、大电流的考验，并保持极低的导通损耗。这正是STD10NM60N大显身手的舞台。其550毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在相同电流下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这不仅直接提升了整机效率，更能让您的散热设计变得更加从容，甚至简化散热结构，为产品小型化释放宝贵空间。其高达10A的连续漏极电流和600V的漏源电压，确保了在严苛的工业与消费类应用中的强大驱动能力和坚固耐用的可靠性。

为何众多工程师在众多选择中青睐STD10NM60N？其核心在于MDmesh II技术的深厚内功。这项技术优化了单元结构，在击穿电压和导通电阻之间取得了绝佳平衡。反映在参数上，就是更低的Qg（栅极电荷）和Ciss（输入电容）。19nC的栅极电荷让开关速度更快，开关损耗显著降低，尤其适合高频开关应用。而快速的开关特性，结合其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，意味着您的设备能在各种环境温度下稳定、高效地运行，寿命与稳定性获得双重保障。当您需要可靠的原装货源与技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，获取专业服务。

从提升现有产品能效等级到攻克新项目的功率密度瓶颈，STD10NM60N提供的不仅是一组优异的参数，更是一个值得信赖的解决方案。它表面贴装（DPAK）的封装形式，完美适配现代自动化生产流程，助力您高效量产。选择STD10NM60N，就是选择以更低的系统总成本，收获更卓越的性能表现与市场竞争力。让它成为您下一款明星产品背后的无名英雄，共同开启高效电能转换的新篇章。

• 型号:STD10NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。