STD65N55F3

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体STripFET系列中的明星产品STD65N55F3。这颗N沟道功率MOSFET以其卓越的性能，正在重新定义55V电压等级下的功率开关标准。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的电机驱动、DC-DC转换器或高频开关电源中，一颗芯片就能承载高达80A的连续电流，同时将导通电阻压降至惊人的8.5毫欧。这意味着更低的传导损耗，更少的能量以热量的形式被浪费，从而让您的系统运行得更凉爽、更持久。其高达110W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的坚固性和环境适应性，无论是严苛的工业环境还是紧凑的消费电子设备，它都能游刃有余。

选择STD65N55F3，就是选择了一份安心与高效。其优化的栅极电荷（Qg仅45nC）和输入电容，确保了极快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，动态响应更迅捷。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，我们的ST芯片代理服务网络随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。让STD65N55F3成为您下一个成功产品的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:STD65N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD65N55F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。