STD10P6F6

想象一下，您的电源管理系统正在承受着高负载的考验，效率的每一点下滑都意味着成本的增加和可靠性的降低。此时，一颗能在高压、大电流环境下稳定工作，同时保持极低导通损耗的功率MOSFET，正是您系统升级的关键所在。STD10P6F6正是为此而生的卓越解决方案，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

这款来自ST意法半导体的P沟道功率MOSFET，集成了先进的DeepGATE和STripFET VI技术，将性能与可靠性推向了新的高度。其60V的漏源电压和高达10A的连续漏极电流能力，为各种严苛的开关应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至160毫欧，这意味着在频繁的开关动作中，它能将能量损耗降至最低，直接转化为更低的系统发热和更高的整体能效。无论是工业自动化设备中的电机驱动，还是通信基站里的电源转换模块，亦或是新能源领域如车载充电器(OBC)和DC-DC变换器，STD10P6F6都能游刃有余，确保您的系统在高强度运行下依然冷静、高效。

选择STD10P6F6，就是选择了一份安心与远见。其高达175°C的结温工作能力和35W的功率耗散，赋予了产品无与伦比的鲁棒性，轻松应对环境波动和意外过载。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动电路的设计得以简化，从而帮助您缩短开发周期，降低BOM成本。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全程专业服务。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您下一代产品中不可或缺的“高效心脏”，驱动创新，赢得市场。

• 型号:STD10P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P CH 60V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10P6F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。