STD110NH02LT4

在追求极致效率的电源管理与电机驱动设计中，您是否还在为寻找一款能在有限空间内承载大电流、同时保持超低损耗的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来一个堪称性能标杆的解决方案STD110NH02LT4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的电气特性，正重新定义着24V应用场景下的功率密度与能效极限。

想象一下，在您紧凑的DC-DC转换器或电机驱动板中，一颗芯片需要同时应对高达80A的连续电流，并确保开关过程迅捷而平滑。STD110NH02LT4正是为此而生。它采用了先进的STripFET III技术，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至惊人的5毫欧（@40A）。这意味着在传导过程中，能量几乎以无损的方式通过，显著减少了发热，提升了系统整体效率，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借更长的续航或更低的运营成本脱颖而出。无论是服务器电源的同步整流、电动工具的无刷电机驱动，还是汽车辅助系统的负载开关，它都能游刃有余，将澎湃动力掌控于方寸之间。

选择STD110NH02LT4，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份可靠性与设计余量。其高达125W的功率耗散能力（Tc）和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在苛刻环境下的稳定表现。表面贴装的DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，非常适合自动化生产。虽然该型号已处于停产状态，但其经典的设计和久经考验的性能，使其在特定存量市场和高端应用中依然极具价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，这将是您项目成功、产品可靠的有力保障。让STD110NH02LT4成为您下一个明星产品中的核心动力单元，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STD110NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD110NH02LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。