STP80N6F6

在追求极致效率的电力电子世界，您是否曾为寻找一颗能在严苛环境下稳定输出强劲动力的开关器件而困扰？想象一下，一个能够承载110A连续电流、在60V电压下依然保持超低导通损耗的解决方案，将如何彻底改变您的电源设计？今天，我们为您带来的STP80N6F6，正是这样一款源自ST意法半导体尖端技术的N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个元件，更是您提升系统可靠性、迈向更高能效的得力伙伴。

这颗芯片的核心魅力在于其惊人的5.8毫欧超低导通电阻，当它在10V驱动电压下工作时，能够将导通损耗降至极低水平，这意味着更少的能量以热量形式浪费，更多的功率被有效传递到负载端。其高达120W的功率耗散能力，配合-55°C至175°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的坚固性和环境适应性。无论是面对瞬间的大电流冲击，还是在持续高温的恶劣工况下，STP80N6F6都能稳如磐石，确保您的系统心脏强劲而持久地跳动。

这种卓越的性能，让它在众多高要求的应用场景中大放异彩。在汽车电子领域，符合AEC-Q101标准的它，是引擎控制单元、电动助力转向、LED驱动或DC-DC转换器中理想的功率开关选择，为现代智能座驾提供高效可靠的电力脉搏。在工业自动化中，它能够轻松驾驭电机驱动、电源逆变器或大功率开关电源，以极高的开关效率和热稳定性，保障生产线7x24小时不间断运行。即便面对通信基站电源、不间断电源(UPS)这类对效率和可靠性有严苛考验的场合，它也能游刃有余，成为系统稳定运行的基石。

选择STP80N6F6，就是选择了一份由ST意法半导体DeepGATE和STripFET VI技术背书的质量承诺。这些专利技术不仅优化了单元密度和沟槽结构，更带来了更优的开关性能和雪崩耐量。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的设计和久经市场验证的可靠性，使其在存量市场和特定高端应用中依然极具价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让这颗凝聚了智慧与工艺的功率器件，为您的下一个创新项目注入强大而高效的动力，开启能效新纪元。

• 型号:STP80N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80N6F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。