STD7NK30Z

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低导通电阻与卓越开关性能于一身的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STD7NK30Z之中。

源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH技术平台，这颗N沟道MOSFET天生就是为了高效而生。其高达300V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流能力，为它构筑了坚固的性能基石。而最令人瞩目的，莫过于它在10V驱动电压下，低至900毫欧的导通电阻。这意味着在相同的电流下，芯片自身产生的热量将大幅减少，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了它拥有极其敏捷的开关速度，显著降低了开关过程中的能量损耗，让您的系统运行起来既安静又“冷静”。

这种卓越的性能特性，让STD7NK30Z在众多应用场景中游刃有余。无论是AC-DC开关电源中的PFC（功率因数校正）和主开关电路，还是照明系统中的LED驱动和电子镇流器，它都能成为提升整体能效的关键支点。在电机控制、DC-DC转换器等需要高效功率管理的领域，它同样能发挥巨大价值。其DPAK封装兼顾了功率处理能力和空间利用率，非常适合现代高密度PCB设计，帮助您轻松实现产品的小型化与轻量化。

选择STD7NK30Z，不仅仅是选择了一颗高性能的功率开关器件，更是选择了一份来自ST意法半导体的品质承诺与经过市场验证的可靠性。它能够在-55°C至150°C的严苛结温范围内稳定工作，确保您的产品在各种环境下都坚若磐石。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的设计和广泛的应用基础使其在特定市场和存量项目中依然极具价值。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购，他们将为您提供可靠的供应链保障和专业的选型建议，让您的创新之路毫无后顾之忧。

• 型号:STD7NK30Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7NK30Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。