STD11NM60ND

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够在600V高压下稳定输出10A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能格局？这正是STD11NM60ND为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗、并最终赢得市场竞争的关键引擎。

这款基于意法半导体先进FDmesh II技术打造的N沟道MOSFET，其卓越的性能在各类严苛应用中大放异彩。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和高效照明解决方案，它都能游刃有余。其高达600V的漏源电压和10A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的安全裕度和功率处理基础。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至450毫欧，这意味着在相同电流下，它能产生更少的热量，让您的系统运行得更凉爽、更持久。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的基因。

那么，在众多同类产品中，为何STD11NM60ND能脱颖而出，成为工程师们的首选？答案在于其精妙的平衡艺术。它成功地在高耐压、大电流与低损耗之间找到了最佳平衡点。极低的栅极电荷（仅30nC）和输入电容，意味着开关速度更快，开关损耗更低，这对于提升开关电源的频率和效率至关重要。表面贴装DPAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还优化了散热路径，结合高达90W的功率耗散能力，让散热设计变得更加轻松。其宽泛的工作温度范围（最高结温150°C）确保了在恶劣环境下依然稳定可靠。当您需要可靠的原厂品质和及时的技术支持时，通过正规的ST授权代理进行采购，无疑是保障项目顺利推进和长期供应链安全的最明智选择。让STD11NM60ND成为您下一个成功设计的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:STD11NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。