STI6N90K5

在追求更高能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对900V的高压应用场景，传统的解决方案往往在效率、散热和系统稳定性之间难以平衡。现在，这一切都将被重新定义。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STI6N90K5，这颗集卓越性能与坚固可靠性于一身的N沟道功率MOSFET，正是为突破极限而生，它将为您的设计注入前所未有的活力与信心。

想象一下，在工业电机驱动、高性能开关电源(SMPS)、太阳能逆变器或电动汽车充电桩等严苛的应用环境中，STI6N90K5能够轻松驾驭高达900V的漏源电压，提供6A的连续电流能力。其核心秘密在于先进的MDmesh K5技术，这项技术通过优化单元结构和工艺，在保持超低导通电阻（典型值低至1.1欧姆@3A,10V）的同时，显著降低了栅极电荷和开关损耗。这意味着您的系统不仅能实现更高的功率密度和转换效率，更能有效控制温升，确保在-55°C至150°C的广阔结温范围内稳定运行，将110W的强大功率耗散能力转化为实实在在的系统可靠性。

选择STI6N90K5，就是选择了一份从容与高效。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力的战略伙伴。其坚固的I2PAK通孔封装确保了卓越的散热性能和机械强度，非常适合要求高可靠性的工业级应用。无论是应对复杂的电磁环境，还是追求极致的能效表现，它都能游刃有余。当您与值得信赖的ST芯片代理合作时，您获得的将不仅是这颗性能出众的芯片，更包括完整的技术支持、稳定的供应链保障以及来自意法半导体的全球品质承诺。让STI6N90K5成为您下一个成功设计的基石，共同开启高效、可靠功率管理的新篇章。

• 型号:STI6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STI6N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。