STD12N50DM2

当您需要一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾高效与可靠性的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STD12N50DM2这颗性能卓越的N沟道MOSFET中。它不仅仅是意法半导体MDmesh DM2系列的代表作，更是工程师应对严苛功率转换挑战的得力助手。其高达500V的漏源电压和11A的连续漏极电流，意味着它能轻松驾驭从工业电源到家用电器等多种高压、大电流场景，为您提供坚实的性能基石。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式还是正激式拓扑，都迫切需要一款导通损耗低、开关速度快的功率器件来提升整体效率。STD12N50DM2凭借其MDmesh DM2先进的超结技术，实现了极低的导通电阻（典型值远低于350毫欧），这直接转化为更少的热量产生和更高的能源利用率。在PFC（功率因数校正）电路或电机驱动应用中，其优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性确保了快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，运行更平稳。对于照明解决方案，如LED驱动，它的高可靠性和宽工作温度范围（-55°C至150°C）保证了在各种环境下的长久稳定运行。

选择STD12N50DM2，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其DPAK表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。这颗芯片的设计充分考虑了实际应用的便捷性，标准的10V驱动电压使其易于集成到现有控制电路中。更重要的是，通过与值得信赖的ST代理商合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效目标、并确保长期可靠性的战略伙伴。让STD12N50DM2成为您下一个成功项目的强大心脏，开启高效、可靠的功率管理新篇章。

• 型号:STD12N50DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:628 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12N50DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。