STD130N6F7

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时承载80A大电流、导通电阻却低至5毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计。这正是STD130N6F7为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是通往更高能效、更紧凑设计的钥匙。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的强大性能立刻变得生动起来。在服务器电源的DC-DC转换模块中，其极低的Rds(on)意味着更少的能量以热量的形式浪费，直接提升了整机效率并简化了散热设计。对于蓬勃发展的新能源车车载充电机(OBC)而言，60V的耐压和80A的电流能力提供了充足的余量和可靠性，确保在严苛的汽车电子环境中稳定运行。而在工业电机驱动或大功率LED照明驱动器中，快速的开关特性和高达175°C的结温工作能力，让系统在面对频繁启停或持续高负载时依然从容不迫，大大延长了设备的使用寿命和稳定性。

选择STD130N6F7，就是选择了一份由ST意法半导体尖端STripFET技术背书的信心。其卓越的栅极电荷与输入电容平衡，确保了驱动简单且开关迅速，让您的控制系统响应更敏捷。DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是紧凑型高功率密度设计的理想选择。无论您是在升级现有产品还是开发新一代平台，这颗芯片都能成为您提升竞争力的秘密武器。如需获取样品或技术支持，可以咨询专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD130N6F7赋能您的下一个创意，共同开启高效、可靠的电能驾驭新时代。

• 型号:STD130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:134W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD130N6F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。