STD13N50DM2AG

在追求更高能效与更紧凑设计的电源管理领域，您是否正为寻找一款兼具性能与可靠性的功率开关器件而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STD13N50DM2AG。这款来自ST意法半导体的功率晶体管，以其出色的11A连续漏极电流承载能力，为您的高功率密度应用注入强劲动力，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，无论是工业电源、电机驱动，还是高效能的充电适配器，STD13N50DM2AG都能在其中扮演核心的开关角色。它卓越的电流处理能力意味着在相同的空间内，您可以实现更高的功率输出，或者以更小的体积达成既定的性能目标。这直接转化为您终端产品更长的运行时间、更快的充电速度，或是更稳定的工业控制表现，为用户带来实实在在的价值提升。

选择STD13N50DM2AG，就是选择了一份源自ST意法半导体的品质承诺。其“有源”的产品状态确保了供应的长期稳定与可靠，让您的供应链高枕无忧。当您需要专业的选型支持与供货保障时，我们的ST代理团队将为您提供全方位的服务。这颗芯片不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、优化系统效率、实现设计创新的得力伙伴。立即采用它，开启您下一个电源项目的高效、可靠之旅。

• 制造商产品型号：STD13N50DM2AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：POWER TRANSISTORS
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• STD13N50DM2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。